エンベデッドシステムスペシャリスト 2017年 午前2 問03
問題文
SLC（Single-Level Cell）型と比較したとき、MLC（Multi-Level Cell）型のフラッシュメモリの優れている点はどれか。
選択肢
ア：1セル当たりの書換え時間が短い。
イ：1セル当たりの記憶容量が大きい。（正解）
ウ：書換え可能回数が多い。
エ：データ保持期間が長い。
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MLC型フラッシュメモリの記憶密度【午前2解説】
正解の理由
MLCは、1つのメモリセルに複数ビットのデータを記憶する方式です。SLCが1セルに1ビットを記憶するのに対し、MLCは複数の電圧状態を使い分けるため、1セル当たりの記憶容量が大きくなります。
したがって、優れている点はイです。
解法ステップ
- SLCは「1セルに1ビット」と押さえます。
- MLCは「1セルに複数ビット」と押さえます。
- 1セルに記憶できるビット数が多いほど、同じセル数でも記憶容量を大きくできます。
- よって、MLCの優れている点は1セル当たりの記憶容量です。
選択肢別の誤答解説
- ア：誤りです。MLCは電圧状態を細かく判別する必要があるため、一般にSLCより書換えに時間がかかります。
- イ：正しいです。1セルに複数ビットを記憶するため、1セル当たりの記憶容量が大きくなります。
- ウ：誤りです。MLCは一般にSLCより書換え可能回数が少なくなります。
- エ：誤りです。MLCは一般にSLCよりデータ保持期間が短くなる傾向があります。
よくある誤解
- 「記憶容量が大きい」ことと「信頼性が高い」ことを混同する
MLCは記憶密度を高められますが、書換え耐久性やデータ保持性能ではSLCが有利です。 - 「複数ビット」を複数のセルに分けて記憶すると考える
MLCは、1つのセルが複数の電圧状態を持つことで、セル内に複数ビットを記憶します。 - すべての性能がMLCで向上すると考える
MLCの主な利点は記憶密度です。書換え速度や耐久性などは、一般にSLCのほうが優れています。
補足コラム
フラッシュメモリは、1セルに記憶するビット数によって、SLC、MLC、TLC、QLCなどに分類されます。1セル当たりのビット数が増えるほど記憶密度は高まりますが、電圧状態の判別が難しくなり、一般に書換え速度や耐久性は低下する傾向があります。
FAQ
Q. MLCの「Multi-Level」は何を指しますか？
A. 1つのセルで複数の電圧状態を使い分け、複数ビットを記憶することを指します。
A. 1つのセルで複数の電圧状態を使い分け、複数ビットを記憶することを指します。
Q. SLCとMLCでは、どちらが書換えに強いですか？
A. 一般にSLCです。MLCは記憶密度を高められる一方、書換え可能回数はSLCより少ない傾向があります。
A. 一般にSLCです。MLCは記憶密度を高められる一方、書換え可能回数はSLCより少ない傾向があります。
関連キーワード: SLC、MLC、フラッシュメモリ、記憶密度、書換え可能回数
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