エンベデッドシステムスペシャリスト 2019年 午前2 問02
問題文
MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリの特徴として、適切なものはどれか。
選択肢
ア：コンデンサに蓄えた電荷を用いて、データを記憶する。
イ：電気抵抗の値を用いて、データを記憶する。
ウ：一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。（正解）
エ：フリップフロップを利用して、データを記憶する。
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MLCフラッシュメモリ【午前2解説】
正解の理由
MLC（Multi-Level Cell）は、一つのメモリセルに複数ビットのデータを記憶する方式です。選択肢の中では、一つのセルに2ビット以上を記憶すると述べているウが適切です。
フラッシュメモリは、セルに蓄えた電荷の状態などを利用してデータを記憶します。MLCでは、電荷の状態を複数段階に区別することで、一つのセルに複数のビットを記録します。
解法ステップ
- MLCの「Multi-Level Cell」が「一つのセルで複数の状態を表す」方式だと確認します。
- 複数の状態を使うことで、一つのセルに複数ビットを記憶できると考えます。
- この特徴に合致するウを選びます。
選択肢別の誤答解説
- ア：コンデンサに蓄えた電荷で記憶するのは、主にDRAMの特徴です。フラッシュメモリのMLCの説明ではありません。
- イ：電気抵抗の値を利用する記憶方式は、抵抗変化型メモリなどに関する説明です。MLCの特徴ではありません。
- ウ：一つのメモリセルに2ビット以上を記憶する方式です。MLCの特徴に合致します。
- エ：フリップフロップを利用して記憶するのは、主にSRAMの特徴です。MLCの説明ではありません。
よくある誤解
-
「MLCは必ず2ビットを記憶する」と考える
MLCは複数ビットを記憶する方式です。設問の「2ビット以上」という表現に注目しましょう。 -
「フラッシュメモリはコンデンサに記憶する」と考える
コンデンサを使う記憶方式として代表的なのはDRAMです。フラッシュメモリとは仕組みが異なります。 -
記憶素子の種類と、1セル当たりの記憶ビット数を混同する
MLCが問うのは、主に一つのセルに何ビット記憶できるかという特徴です。
補足コラム
一つのセルに記憶するビット数によって、フラッシュメモリは次のように分類されます。
1セル当たりのビット数が増えると、同じセル数でより多くのデータを保存できます。一方で、電荷状態を細かく区別する必要があるため、一般に書換え耐久性や速度とのトレードオフが生じます。
FAQ
Q. MLCとTLCの違いは何ですか？
A. MLCは複数ビットを記憶する方式を指し、TLCはそのうち1セルに3ビットを記憶する方式です。
A. MLCは複数ビットを記憶する方式を指し、TLCはそのうち1セルに3ビットを記憶する方式です。
Q. 1セルに複数ビットを記憶できるのはなぜですか？
A. セルの状態を複数段階に区別し、それぞれに異なるビット列を対応付けるためです。
A. セルの状態を複数段階に区別し、それぞれに異なるビット列を対応付けるためです。
関連キーワード: フラッシュメモリ、メモリセル、SLC、TLC、QLC
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