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ITパスポート 2017年 秋期 67


問題文

フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。

選択肢

紫外線を利用してデータを消去し、書き換えることができるメモリである。
データ読出し速度が速いメモリで、CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。
電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリである。(正解)
リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶によく使われる。

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フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。【ITパスポート 解説】

正解の理由

選択肢の中で正しいのは、「電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリである。」です。
フラッシュメモリ(flash memory)は、電気的にデータを書き換え・消去でき、電源を切ってもデータが残る「不揮発性(電源を切っても情報が消えない)」の記憶装置です。USBメモリやSSD、スマホ内の保存領域で使われます。英語では flash memory と呼び、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory:電気的に消去・書換可能なROMの一種)の派生技術として広く使われています。

解法ステップ

  1. 問題文のキーワード「フラッシュメモリ」を確認する。
  2. 各選択肢とフラッシュメモリの特徴を照らし合わせる:
    • フラッシュは「電気的に消去・書換」「不揮発性」 → その説明があれば正しい可能性が高い。
    • 「紫外線で消去」「リフレッシュが必要」「キャッシュに使われる」などは別のメモリの特徴なので注意。
  3. 最終的に、電気的に書換えできて不揮発性である選択肢()を選ぶ。

選択肢別の誤答解説

  • ア: 「紫外線を利用してデータを消去し、書き換えることができるメモリである。」
    → これは EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory:紫外線で消去するタイプのROM)の説明です。フラッシュメモリは紫外線ではなく電気で消去します。古いROMの技術と混同しないようにしましょう。
  • イ: 「データ読出し速度が速いメモリで、CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。」
    → キャッシュメモリに使われるのは SRAM(Static RAM:データ保持のためにリフレッシュ不要で高速な揮発性メモリ)です。フラッシュは不揮発性ですが、書き込みが遅く寿命(書換回数の限界)があるためキャッシュには向きません。
  • エ: 「リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶によく使われる。」
    → これは DRAM(Dynamic RAM:定期的なリフレッシュが必要で、主記憶(メインメモリ)に使われる揮発性メモリ)の説明です。フラッシュはリフレッシュ不要で、不揮発性です。

よくある誤解

  1. フラッシュメモリは「RAM(ランダムアクセスメモリ)」と同じだと思う誤解。
    → 実際は用途が違います。RAM(特にDRAMやSRAM)は揮発性で一時作業用、フラッシュは不揮発性で保存用です。
  2. フラッシュは「何度でも書き換えられる」と思う誤解。
    → フラッシュには書換え回数の上限があります(書換寿命)。SSDや組込み機器では「ウェアレベリング(寿命管理)」などの技術で対処しています。
  3. 「紫外線で消せる=フラッシュの特徴」と混同すること。
    → 紫外線で消去するのは EPROM の特徴で、フラッシュは電気で消去します。単語が似ているため注意。

補足コラム

フラッシュメモリには主に NAND型と NOR型という構造の違いがあります。
  • NANDフラッシュ:容量あたりコストが低く、書き込み/消去単位がブロック単位で大きい。SSDやUSBメモリ、SDカードでよく使われます。
  • NORフラッシュ:読み出しが速く、ランダムアクセスに強い。ファームウェア領域などに使われることがあります。
また、フラッシュは「書き込みは遅い」「消去はブロック単位」「有限の書換回数」という性質があるため、システム設計ではこれらを踏まえた運用(ログの設計、キャッシュの利用、寿命管理など)が重要です。

FAQ

Q1: フラッシュメモリは電源を切ってもデータは消えますか?
A1: いいえ、消えません。フラッシュは不揮発性なので電源を切ってもデータが残ります。
Q2: スマホの内部ストレージやUSBメモリはフラッシュですか?
A2: はい。多くのスマホの内蔵ストレージやUSBメモリ、SDカード、SSDはフラッシュメモリ(主にNANDフラッシュ)を使っています。
Q3: フラッシュとEEPROMは同じですか?
A3: 関係は深いですが厳密には違います。EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)は電気的に消去・書換えできるROMの総称で、フラッシュはEEPROMの一種で、大容量向けに最適化された技術として広まりました。

関連キーワード: フラッシュメモリ、不揮発性メモリ, EEPROM(電気的消去型ROM), EPROM(紫外線消去型ROM), DRAM(ダイナミックRAM), SRAM(スタティックRAM), NANDフラッシュ, NORフラッシュ, SSD, USBメモリ, キャッシュメモリ, リフレッシュ, 書換え寿命, ウェアレベリング
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