応用情報技術者 2011年 春期 午前2 問20

仮想記憶方式におけるページイン・ページアウト多発現象【午前2 解説】

要点まとめ

• 結論：処理の多重度増加によりページイン・ページアウトが頻発し応答速度が低下する現象は「スラッシング」と呼ばれます。
• 根拠：スラッシングは仮想記憶管理でページ置換が過剰に起こり、CPUがページフォルト処理に追われる状態を指します。
• 差がつくポイント：スラッシングは単なるページフォルトとは異なり、システム全体の性能劣化を招くため、原因と対策を理解することが重要です。

正解の理由

よくある誤解

解法ステップ

1. 仮想記憶方式の基本動作を理解する（ページイン・ページアウトの意味）。
2. 処理の多重度増加が物理メモリ不足を招くことを認識する。
3. ページ置換が頻発しCPUがページフォルト処理に追われる現象を思い出す。
4. その現象が「スラッシング」と呼ばれることを確認する。
5. 選択肢の意味を比較し、最も適切な用語を選ぶ。

選択肢別の誤答解説

• ア: オーバレイ
  プログラムの一部を入れ替えて実行する技術で、ページ置換の多発現象とは異なります。
• イ: スラッシング
  正解。ページ置換が過剰に起こりシステム性能が著しく低下する現象です。
• ウ: メモリコンパクション
  メモリの断片化を解消するために空き領域を連続化する技術で、ページ置換の多発とは無関係です。
• エ: ロールアウト
  プロセスの状態をメモリからディスクに退避させる操作で、ページ置換の多発現象とは異なります。

補足コラム

FAQ