応用情報技術者 2016年 秋期 午前2 問21
問題文
フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
選択肢
ア：高速に書換えができ、 CPUのキャッシュメモリに用いられる。
イ：紫外線で全内容の消去ができる。
ウ：周期的にデータの再書込みが必要である。
エ：ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。（正解）
フラッシュメモリに関する記述【午前2 解説】
要点まとめ
- 結論：フラッシュメモリはブロック単位で電気的に内容の消去が可能であるため、選択肢エが正解です。
- 根拠：フラッシュメモリはEEPROMの一種で、ブロック単位で消去・書き込みができ、紫外線消去は不要です。
- 差がつくポイント：キャッシュメモリとは異なり、フラッシュメモリは書き換え速度が遅く、消去はブロック単位で行う点を理解しましょう。
正解の理由
選択肢エ「ブロック単位で電気的に内容の消去ができる」はフラッシュメモリの特徴を正確に表しています。フラッシュメモリは電気的に消去・書き込みが可能で、全体ではなくブロック単位で操作するため効率的です。これにより、USBメモリやSSDなどの記憶装置に広く利用されています。
よくある誤解
フラッシュメモリは高速に書き換えられるわけではなく、CPUのキャッシュメモリとは異なります。また、紫外線で消去するのはEPROMであり、フラッシュメモリではありません。
解法ステップ
- フラッシュメモリの基本的な特徴を確認する。
- 各選択肢の内容がフラッシュメモリの特徴に合致しているか検証する。
- 紫外線消去はEPROMの特徴であることを知る。
- CPUのキャッシュメモリはSRAMやDRAMであり、フラッシュメモリではないことを理解する。
- ブロック単位で電気的に消去できる点がフラッシュメモリの正しい特徴であると判断する。
選択肢別の誤答解説
- ア: フラッシュメモリは高速書換えができるわけではなく、CPUのキャッシュメモリに用いられません。キャッシュはSRAMが主です。
- イ: 紫外線で全内容の消去ができるのはEPROMの特徴であり、フラッシュメモリは電気的消去です。
- ウ: フラッシュメモリは周期的な再書込みは不要で、書き換え回数に制限はありますが再書込みは任意です。
- エ: ブロック単位で電気的に内容の消去ができるため、正解です。
補足コラム
フラッシュメモリはEEPROMの一種で、書き込みや消去はブロック単位で行われます。これにより、全体を消去する必要がなく効率的です。SSDやUSBメモリ、スマートフォンの内部ストレージなどに使われています。書き換え回数には限界があり、寿命管理が重要です。
FAQ
Q: フラッシュメモリはなぜブロック単位で消去するのですか？
A: メモリセルの構造上、個別のセル単位での消去が難しく、効率的に消去するためにブロック単位で行います。
A: メモリセルの構造上、個別のセル単位での消去が難しく、効率的に消去するためにブロック単位で行います。
Q: 紫外線で消去できるメモリは何ですか？
A: 紫外線で消去できるのはEPROM（消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ）で、フラッシュメモリとは異なります。
A: 紫外線で消去できるのはEPROM（消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ）で、フラッシュメモリとは異なります。
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