基本情報技術者 2009年 秋期 午前(科目A) 問22
問題文
DRAMの説明として、適切なものはどれか。
選択肢
ア:コンデンサに電荷を蓄えた状態か否かによって1ビットを表現する。主記憶としてよく用いられる。(正解)
イ:製造時にデータが書き込まれる。マイクロプログラム格納用メモリとして用いられる。
ウ:専用の装置でデータを書き込むことができ、紫外線照射で消去ができる。
エ:フリップフロップで構成され、高速であるが製造コストが高い。キャッシュメモリなどに用いられる。
DRAMの説明【午前2 解説】
要点まとめ
- 結論:DRAMはコンデンサに電荷を蓄えることで1ビットを表現する動的メモリで、主記憶として高密度かつ低コストで用いられる。
- 根拠:選択肢にある「コンデンサに電荷を蓄えた状態か否かで1ビットを表現する」はDRAM固有の特徴で、定期的なリフレッシュが必要である点も一致する。
- 差がつくポイント:SRAM(フリップフロップ)、EPROM/EEPROM(紫外線/電気消去)、マスクROM(製造時書込み)という各メモリのキーワードで見分けると誤答を避けられる。
正解の理由
正解は ア です。
DRAM(Dynamic RAM)は各ビットをコンデンサに蓄えられた電荷の有無で表し、電荷は漏れるため定期的なリフレッシュが必要です。高密度で製造コストが低いため主記憶(メインメモリ)として広く使われます。選択肢アはこれらの特徴を正確に述べています。
DRAM(Dynamic RAM)は各ビットをコンデンサに蓄えられた電荷の有無で表し、電荷は漏れるため定期的なリフレッシュが必要です。高密度で製造コストが低いため主記憶(メインメモリ)として広く使われます。選択肢アはこれらの特徴を正確に述べています。
よくある誤解
- 「フリップフロップで構成」とあるものをDRAMと混同しがちですが、それはSRAMの特徴です。
- 「製造時にデータを書き込む」はマスクROMの説明であり、DRAMとは無関係です。
解法ステップ
- 選択肢にあるキーワードを拾う:コンデンサ、フリップフロップ、紫外線消去、製造時書込など。
- キーワードとメモリ種類を対応付ける:コンデンサ→DRAM、フリップフロップ→SRAM、紫外線消去→EPROM、製造時書込→マスクROM。
- 用途で確認:主記憶なら高密度で低コストなDRAM、キャッシュなら高速だが高価なSRAM。
- 一致する選択肢を選ぶ:上記対応で最も当てはまるのがア。
選択肢別の誤答解説
- ア:正解。コンデンサに電荷を蓄える表現、リフレッシュが必要、主記憶に用いられる点がDRAMの特徴と一致。
- イ:誤り。製造時にデータが書き込まれるのはマスクROMなどの読み取り専用メモリであり、マイクロプログラム格納用のROMを指す表現。
- ウ:誤り。紫外線照射で消去できるのはEPROM(紫外線消去型)で、専用装置と紫外線消去が特徴。DRAMではない。
- エ:誤り。フリップフロップで構成され高速で高コストなのはSRAMで、キャッシュメモリに用いられる。DRAMとは実装原理と用途が異なる。
補足コラム
- DRAMは「動的」なのでリフレッシュ回路が必要。リフレッシュ周期は通常数ミリ秒単位。
- SRAMは6トランジスタ程度のフリップフロップで1ビットを保持する「静的」RAMで、リフレッシュ不要だが面積・コストが大きい。
- EPROMは紫外線で消去、EEPROM/フラッシュは電気的に消去・書込み可能で不揮発性。BIOSやファームウェア、ストレージで使われる。
- 用途の目安:主記憶=DRAM、キャッシュ=SRAM、不揮発メモリ=ROM/EEPROM/フラッシュ。
FAQ
Q: DRAMとSRAMの最大の違いは何ですか?
A: DRAMはコンデンサで1ビットを表すためリフレッシュが必要で高密度・低コスト、SRAMはフリップフロップでリフレッシュ不要だが高コストで高速です。
A: DRAMはコンデンサで1ビットを表すためリフレッシュが必要で高密度・低コスト、SRAMはフリップフロップでリフレッシュ不要だが高コストで高速です。
Q: EPROMとEEPROMの違いは?
A: EPROMは紫外線で一括消去して再書込みするタイプ、EEPROMは電気的にバイト単位で消去・書込み可能で利便性が高いです。
A: EPROMは紫外線で一括消去して再書込みするタイプ、EEPROMは電気的にバイト単位で消去・書込み可能で利便性が高いです。
関連キーワード: DRAM、SRAM、キャッシュメモリ、静的RAM、動的RAM、リフレッシュ、EPROM、EEPROM、マスクROM、フラッシュメモリ

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