基本情報技術者 2014年 春期 午前（科目A） 問20

フリップフロップ型メモリセル【午前解説】

正解の理由

解法ステップ

1. 各選択肢（DRAM, EEPROM, SDRAM, SRAM）がどのようなセル構造を持つかを思い出す。
2. 「フリップフロップ（クロス結合インバータ）」を用いるのはどれかを照合する。
3. フリップフロップを用いるのはSRAMのみであるため選択する。

選択肢別の誤答解説

• ア: DRAM — 間違い。DRAMは1ビット当たり1つのトランジスタ＋キャパシタ（1T1C）の構造で、キャパシタの電荷でデータを保持し、周期的なリフレッシュが必要です。
• イ: EEPROM — 間違い。EEPROMはフローティングゲートトランジスタに電荷を蓄えることで不揮発性を実現しており、フリップフロップ回路は使いません。
• ウ: SDRAM — 間違い。SDRAMは「同期DRAM」であり、セル構造はDRAMと同じ1T1Cです。クロック同期の制御が付加されているだけで、フリップフロップセルではありません。
• エ: SRAM — 正解。SRAMは各セルがフリップフロップ（一般に6トランジスタ）で構成され、リフレッシュ不要で高速だが集積度とコストの面で不利です。

よくある誤解

• 「DRAMもフリップフロップを使っている」と誤解する点：DRAMはフリップフロップではなく、キャパシタと1つのトランジスタ（1T1C）でビットを保持します。
• 「EEPROMやFlashもフリップフロップで不揮発的に保持する」と思う点：EEPROM/Flashはフローティングゲートトランジスタで電荷を蓄積して不揮発性を実現し、フリップフロップとは原理が異なります。

補足コラム

• SRAMの典型セル構成は6T（6トランジスタ）で、2つの逆相インバータ（4トランジスタ）とアクセス制御用トランジスタ2つで構成されます。
• DRAMは1T1Cでセル面積が小さいため主記憶（メインメモリ）向け、SRAMは高速だが面積大でキャッシュ用途に最適です。
• EEPROM/Flashは書込み/消去に時間や耐久性の制限があり、不揮発である点がSRAM/DRAMと大きく異なります。
• 実務上のヒント：高速性が最優先ならSRAM（キャッシュ）、大容量かつ低コストならDRAM（メインメモリ）、電源断で保持したければEEPROM/Flashを選ぶという役割分担が定着しています。

FAQ