基本情報技術者 2014年 春期 午前（科目A） 問21

フラッシュメモリの消去単位と特性【午前解説】

正解の理由

解法ステップ

1. キーワード抽出：「フラッシュメモリ」「書換え」「紫外線」「周期的に再書込み」「ブロック単位で電気的に消去」。
2. 各キーワードをメモリの種類に対応付け：SRAM／DRAM／EPROM／EEPROM／フラッシュの特徴を思い出す。
3. 選択肢ごとに該当するメモリの特徴と照合し、矛盾する記述を除外する。
4. 消去方式と消去単位に関する知識（UV消去はEPROM、電気的かつブロック単位はフラッシュ）で正答を確定する。

選択肢別の誤答解説

• ア: 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
  → 誤り。CPUキャッシュは高速なSRAM（揮発性）を用い、フラッシュは不揮発性で書込みはSRAMより遅い。
• イ: 紫外線で全内容の消去ができる。
  → 誤り。これはUV消去を行うEPROMの特徴。フラッシュは電気的消去でUVによる消去は行わない。
• ウ: 周期的にデータの再書込みが必要である。
  → 誤り。DRAMのリフレッシュと混同しやすいが、フラッシュは定期的な再書込みを必要としない。ただし書換え回数の上限がある点に注意。
• エ: ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
  → 正解。フラッシュは電気的に消去・書込みを行い、消去はブロック（セクタ）単位で実施するのが基本。

よくある誤解

• 「フラッシュは高速に書換えできる＝CPUキャッシュに使われる」は誤解です。CPUキャッシュはSRAMで、読み書きのレイテンシと耐久性の特性が異なります。
• 「フラッシュは周期的にデータを再書込みしなければならない」はDRAMのリフレッシュと混同した考えで、フラッシュはリフレッシュ不要ですが書換え可能回数に制限があります。
• 「紫外線で消去できる」はEPROM（UV-erasable EPROM）固有の特徴であり、フラッシュとは消去方式が違います。

補足コラム

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